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不考d)计算(GeTe)1-x(CuBiSe2)x(x=0.02-0.06)的质量和应变场波动参数(ΓM和ΓS)。同时，公务引入CuBiSe2可以增加大量的取代点缺陷，降低晶格热导从而实现高热电性能。研究发现CuBiSe2合金化可以有效的维持GeTe的高迁移率，上大啥增加Ge空位的形成能从而降低载流子浓度到达最佳水平。

异价掺杂/合金化可以优化材料的载流子浓度提高电性能，不考同时降低晶格热导率，从而提高zT。公务【图文导读】图1.理论预测a)室温下含铜化合物与不含铜化合物合金化GeTe的迁移率(μ)随载流子浓度(nh)的变化情况b)不同电负性的合金原子对电子输运影响示意图c)CuBiSe2合金诱导致密点缺陷增强声子散射示意图。

图4.(GeTe)1-x(CuBiSe2)x的电性能a）(GeTe)1-x(CuBiSe2)x(x=0-0.06)球团的电导率(σ)随温度变化b）在室温下，上大啥(GeTe)1-x(CuBiSe2)x(x=0-0.06)随成分x变化的nh，上大啥以及与其他材料与GeTe合金化对比c）在室温下，(GeTe)1-x(CuBiSe2)x(x=0-0.06)的μ随nh的变化情况，并与其他典型的Ge0.94Bi0.06Te,Ge0.9Sb0.1Te0.88Se0.12和Ge0.95Bi0.05Te0.7Se0.3相比较d）塞贝克系数(S)随温度变化情况e）S随nh变化情况、f-g）计算f)R-Ge25Te27和g)R-Ge23CuBiTe25Se2的能带结构。

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